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查莹杰 副总裁兼中国区总经理 |
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报告摘要：As wide bandgap GaN and SiC take market share from legacy silicon, the new target applications are higher power and also higher voltage. For example, now that GaN power ICs dominate ultra-fast charging mobile designs, Navitas’ 4th generation GaNSafe power ICs enter high-power motor drive, AI data center, solar and EV applications. For SiC, as EV charging increases from 22 kW to 350 kW, and now up to 3.75 MW, application bus voltages have increased from 400 V to 800 V, and on to 1,250 V. At the same time, power density is critical – so high speed (high switching frequency) is required from both GaN and SiC to minimize passive components. Navitas GaN and SiC technologies, from 650 V to 6,500 V operate efficiently and reliably at high speeds, for applications from 20 W to 20 MW. |
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报告人简介：查莹杰（Charles) 在全球规模的半导体公司拥有超过14年的丰富的销售和营销经验。在加入纳微半导体之前，他曾在仙童半导体和安森美半导体工作，管理大中华区的移动电话和无线业务部门，为企业带来超过3.5亿美元的营收。 |
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论文初稿提交截止时间
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2023年6月30日 2023年7月22日
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工业报告征集截止时间
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2023年7月15日 2023年7月30日
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专题讲座征集截时间
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2023年7月15日 2023年7月30日
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论文录用通知时间
( 2023年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2023年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2023年8月16日 )
大会时间
( 2023年11月10-13日 )
