| 珠海镓未来科技有限公司 |
| 地址：广东省珠海市横琴粤澳深度合作区ICC横琴国际商务中心1座23楼 电话：0756-8886753 邮箱：sales@ganext.com 网站：www.ganext.com |
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企业简介：
珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。产品具有易于使用（兼容Si MOSFET驱动）、可靠性高、性能参数领先等优点，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品，为市场提供高效、节能环保的下一代功率器件。
产品涵盖小功率（<300W）、中功率（300W~1kW）和大功率（1kW~6kW），在国内率先实现全功率范围氮化镓器件的量产。重点市场包括消费电子、电动工具、数据中心、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网和工业市场。丰富的应用方案包括PD快充适配器、电动工具充电器、LED驱动电源、储能双向逆变器、电池化成电源、ICT服务器电源、算力电源、车载双向DC-DC等。
自2020年成立以来，镓未来在申请和已获专利近50项。2022年获得本土创新创业团队，广东省博士工作站，国家级“高新技术企业”，广东省“创新型中小企业”称号，广东省“专精特新”中小企业，“氮化镓器件900V系列产品”与“650V/035大功率产品”被评为省名优高新产品以及澳门BEYOND Award所颁布的消费科技创新大奖。
镓未来总部位于横琴深合区，深圳子公司聚焦应用和营销，以及上海分公司和杭州华东应用中心，为客户提供全方位的售前售后支持。镓未来以“打造和普及一流的氮化镓产品”为使命，立志为业界提供“最好用最可靠”的氮化镓产品。
欲知详情，请访问：https://www.ganext.com
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重点产品介绍：
1）G1N65R035TQ-H 650V GaN FET
The G1N65 series FETs are hybrid normally-off Gallium Nitride (GaN) field effect transistors with the strongest gate and the lowest reverse voltage drop of all wide-band-gap devices in the market. They allow simple gate drive, offer best-in-class performance and outstanding reliability.
2）G2N65R035TT-H 650V GaN FET
The G2N65 series FETs are hybrid normally-off Gallium Nitride (GaN) field effect transistors with the strongest gate and the lowest reverse voltage drop of all wideband-gap devices in the market. They allow simple gate drive, offer best-in-class performance and outstanding reliability.
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2023年6月30日 2023年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2023年7月15日 2023年7月30日
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专题讲座征集截时间
(
2023年7月15日 2023年7月30日
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论文录用通知时间
( 2023年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2023年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2023年8月16日 )
大会时间
( 2023年11月10-13日 )
