| 纳微半导体 |
| 地址：深深圳市南山区粤海街道滨海社区海天一路8号百度国际大厦西塔第26层02、03单元 邮编：518000 电话：010-84554569 网站：https://navitassemi.com/zh/9-2-2/ |
|
企业简介：
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利，其中，氮化镓功率芯片已发货超过7500万颗，碳化硅功率器件发货超900万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
|
|
重点产品介绍：
纳微半导体作为全面专注下一代功率半导体的企业，拥有GaNFast™️和GeneSiC两条业务线。GaNFast IC单片集成了功率芯片和驱动功能，以及控制和保护。搭载了下一代GaNSense™技术的氮化镓功率芯片还集成了自动感知和快速控制的功能，具有单桥和半桥产品组合。
GaNSense Control合封芯片集成了无损电流检测、高压启动、抖频、低待机功率、宽Vdd输入电压的特性，能在元件更少，无电流采样电阻热点的前提下，带来小巧、高效、温控更优的系统。此外，一系列的集成保护功能包括800V瞬态电压击穿、2kV ESD及智能的过压、过流、过温保护带来了更稳固的功率芯片和可靠的电源系统。
纳微半导体GeneSiC碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基MPS™二极管器件耐压从650 V到6.5 kV，适合从20 W到20 MW的应用场合，为多元市场（包括电动车、工业自动化、网通、电网、电动机和国防）提供高速、高效的功率转换。采用平面和沟槽优势互补，可靠性和可制性兼具的沟槽辅助平面栅极工艺，GeneSiC碳化硅不仅制造产量高、适合快速开关同时功耗低，而且长期可靠性高。
|
|
产品展示：
|
论文初稿提交截止时间
(
2023年6月30日 2023年7月22日
)
工业报告征集截止时间
(
2023年7月15日 2023年7月30日
)
专题讲座征集截时间
(
2023年7月15日 2023年7月30日
)
论文录用通知时间
( 2023年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2023年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2023年8月16日 )
大会时间
( 2023年11月10-13日 )
