| 氮矽科技 |
| 地址：成都市高新区天府五街168号德必天府五街We“5楼501 邮编：710119 电话：028-86036231 传真：029-85692080 邮箱：cse@danxitech.com 网站：www.danxitech.com |
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企业简介： 氮矽科技成立于2019年4月，是由海外归国人士、数位电子科技大学顶尖教授和行业内精英联合创办的高新技术企业。公司的总部设在成都，同时在深圳设有分公司。公司专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的研发和销售，致力于为电力、通信和物联网等领域的应用提供高性能、高可靠性的解决方案。
公司拥有强大的研发团队，研发人员占比超过60%，其中包括6名知名院校的博士，积极申请近50项专利，在国内分离氮化镓中出货量排名第二。依托国内独有的核心氮化镓驱动技术达成所有出货产品0-失效。 公司瞄准新能源与国家先进基础产业方向，打造国内唯一聚焦第三代半导体氮化镓器件及其驱动器的独角兽企业, 引领氮化镓的革命性突破, 共创绿色未来。 |
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重点产品介绍： 氮矽科技是国内一家设计和销售氮化镓晶体管及其驱动芯片的公司，以科研能力为公司立身之本，推出了E-mode GaN HEMT、GaN Driver和PIIP™ GaN等系列产品。
E-mode GaN HEMT相对于传统硅基半导体具有宽禁带带来的更高击穿场强、更高的电子密度和电子迁移率，以及更高的热导率。具有低损耗和高开关频率的特点，可降低导阻带来的发热，减小变压器和电容的体积，提高功率密度。此外，还具有更小的Qg值，可以轻松提高频率并降低驱动损耗。 GaN Driver具有合适的驱动电平，可降低栅极击穿风险，适用于兆赫级以上的工作频率，具有纳秒级的传播延迟和上升下降时间，实现高速开关。还具备较大的峰值拉灌电流和合适的UVLO保护电平，可防止不饱和开启。并采用独立的拉灌驱动方式，方便调节开通关断电阻。 PIIP™ GaN产品是氮矽科技自主研发的面向工业领域的产品系列，将E-mode GaN HEMT与氮化镓器件驱动芯片集成在一个封装内，具有高可靠性。兼容传统硅器件的输入电压，简化了电源设计难度，降低了PCB占板面积，满足易生产、高性价比的要求。具有更灵活、更可靠、更高效、更易于使用的特点。 |
产品展示：  |
论文初稿提交截止时间
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2023年6月30日 2023年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2023年7月15日 2023年7月30日
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专题讲座征集截时间
(
2023年7月15日 2023年7月30日
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论文录用通知时间
( 2023年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2023年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2023年8月16日 )
大会时间
( 2023年11月10-13日 )
