| 英诺赛科（深圳）半导体有限公司 |
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企业简介： 英诺赛科是一家第三代半导体硅基氮化镓IDM（设计、研发与制造为一体）高新技术企业，2015年12月在珠海成立，2017年建成全球第一条8英寸硅基氮化镓外延与器件量产线，致力于为合作伙伴提供高品质的氮化镓芯片及高效的全氮化镓解决方案，构建氮化镓“芯”生态。
相较于传统半导体，英诺赛科氮化镓芯片具备高频高效、小体积、高性价比等优势，当前已在消费（快充、手机），工业（光伏与储能），汽车自动驾驶等领域取得开创性成果。截至2023年4月，出货量已突破一亿七千万颗，跃升全球第一！ |
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重点产品介绍： 1. VGaN-INN040W048A（40V/4.8mΩ ，WLCSP 2.1x2.1 封装），支持双向导通，无反向恢复。可应用于高压侧负载开关，智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护，多电源系统中的开关电路等，仅用1颗就能代替两颗Si MOS。该产品是全球首款导入手机内部的GaN芯片，实现了手机内部GaN芯片“零” 的突破，目前已在OPPO/Realme/摩托罗拉等智能手机得到应用与量产。
2. SolidGaN-ISG3201 ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封器件，内部集成2颗100V/3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，大大简化了电路设计。面积仅为5x6.5mm，与传统Si器件相比，PCB板面积节省超过70%。优化的模块引脚设计显著减小了门级回路和主功率回路的寄生参数，能够有效降低由于寄生参数而带来的器件快速开关时的电压尖峰问题。该产品完美契合30V--60V输入的电源系统，如数据中心模块电源，电机驱动，光伏逆变器，轻混电动汽车以及D类功率放大器等应用领域。 |
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论文初稿提交截止时间
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2023年6月30日 2023年7月22日
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工业报告征集截止时间
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2023年7月15日 2023年7月30日
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专题讲座征集截时间
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2023年7月15日 2023年7月30日
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论文录用通知时间
( 2023年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2023年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2023年8月16日 )
大会时间
( 2023年11月10-13日 )
